切割鋼絲是直徑Φ0.07-0.25mm的鍍黃銅高碳鋼絲，在光伏產(chǎn)業(yè)得到大量應(yīng)用坯认，主要用來切割太陽能電池的多晶硅酷宵、單晶硅以得到半導(dǎo)體晶片』衬樱現(xiàn)介紹下硅片的一些相關(guān)知識(shí)厂画。

　　硅片的加工

　　將硅錠加工成制造太陽能電池需要的硅片瓮增，需要經(jīng)過滾磨随夸、切割松忍、研磨、倒角择克、化學(xué)腐蝕恬总、拋光，以及幾何尺寸和表面質(zhì)量檢測(cè)等工序肚邢。

　　切片前先將硅單晶棒研磨成具有精確直徑的單晶棒,再沿單晶棒的晶軸方向研磨出主、次參考面,用氫氟酸骡湖、硝酸和冰醋酸的混合液腐蝕研磨面贱纠，稱為減徑腐蝕。

　　也稱切片谆焊，把硅單晶棒切成所需形狀的硅片（如圓片）的工藝。切割分多線切割换途、外圓切割懊渡、超聲切割、電子束切割和普遍采用的內(nèi)圓切割等军拟。

　　也稱磨片誓禁，在研磨機(jī)上懈息，用白剛玉或金剛砂等配制的研磨液將硅片研磨成具有一定厚度和光潔度的工藝。有單面研磨和雙面研磨兩種方式摹恰。

　　為解決硅片邊緣碎裂所引起的表面質(zhì)量下降，以及光刻涂膠和外延的邊緣凸起等問題的邊緣弧形工藝俗慈。倒角方法有磨削姑宽、噴砂、化學(xué)腐蝕和恰當(dāng)?shù)膾伖獾裙脍澹^普遍采用的是用倒角機(jī)以成型的砂輪磨削硅片邊緣炮车，直到硅片邊緣形狀與輪的形狀一致為止。

　　也稱減薄腐蝕瘦穆，目的是除去切磨后硅片表面的損傷層和沾污層纪隙，改善表面質(zhì)量和提高表面平整度】富颍化學(xué)腐蝕法有籃式绵咱、桶式、旋轉(zhuǎn)桿式和盒式熙兔，采用氫氟酸悲伶、硝酸和冰醋酸的混合液從硅片兩側(cè)腐蝕掉一定的厚度。

　　為了制備合乎器件和集成電路制作要求的硅片表面拢切，必須進(jìn)行拋光，以除去殘留的損傷層并獲得一定厚度的高平整度的鏡面硅片秆吵。拋光分機(jī)械拋光淮椰、化學(xué)拋光、電子束拋光纳寂、離子束拋光主穗，較普遍采用的是化學(xué)機(jī)械拋光”形撸化學(xué)機(jī)械拋光是化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨削同時(shí)進(jìn)行忽媒，分為銅離子拋光、鉻離子拋光和普遍采用的二氧化硅膠體拋光腋粥。二氧化硅膠體拋光是由極細(xì)的二氧化硅粉晦雨、氫氧化鈉（或有機(jī)堿）和水配制成膠體拋光液。在拋光過程中隘冲，氫氧化鈉與硅表面反應(yīng)生成硅酸鈉闹瞧，通過與二氧化硅膠體的磨削，硅酸鈉進(jìn)入拋光液展辞，兩個(gè)過程不停頓地同時(shí)進(jìn)行而達(dá)到拋光的目的奥邮。根據(jù)不同要求，可用一次拋光罗珍、二次拋光(粗拋光和精拋光)或三次拋光（粗拋光洽腺、中間拋光和精拋光）。為滿足超大規(guī)模集成電路對(duì)表面質(zhì)量和平整度的要求覆旱，已有無蠟拋光和無磨料拋光等新工藝蘸朋。

　　包括目檢扣唱、幾何尺寸檢測(cè)和熱氧化層錯(cuò)檢測(cè)等藕坯。目檢是在正面高強(qiáng)度光或大面積散射光照射下目測(cè)拋光片上的原生缺陷和二次缺陷团南。這些缺陷包括邊緣碎裂、沾污堕担、裂紋已慢、弧坑、鴉爪霹购、波紋佑惠、槽、霧齐疙、嵌入磨料顆粒膜楷、小丘、桔皮贞奋、淺坑赌厅、劃道、亮點(diǎn)轿塔、退刀痕和雜質(zhì)條紋等特愿。幾何尺寸的檢測(cè)包括硅片的厚度、總厚度變化勾缭、彎曲度和平整度的檢測(cè)揍障。厚度為硅片中心上、下表面兩個(gè)對(duì)應(yīng)點(diǎn)之間的距離俩由；總厚度變化為同一硅片上厚度最大值與最小值之差毒嫡；彎曲度為硅片的中線面與參考平面之間距離的最大值與最小值之差；平整度指硅片表面上最高點(diǎn)與最低點(diǎn)的高度差幻梯，用總指示讀數(shù)表征兜畸。硅片的熱氧化層錯(cuò)檢測(cè)是指硅拋光片表面的機(jī)械損傷、雜質(zhì)沾污和微缺陷等在硅片熱氧化過程中均會(huì)產(chǎn)生熱氧化層錯(cuò)碘梢，經(jīng)擇優(yōu)腐蝕后咬摇，在金相顯微鏡下觀測(cè)熱氧化層錯(cuò)的密度，以此鑒定硅片表面的質(zhì)量痘系。